Tecnología CMOS: avances y perspectivas Cmos
| Autor | Andrea G. Martínez López - Edgar Solís Ávila - Jaime Martínez Castillo - Julio C.Tinoco Magaña |
| Cargo | Investigador, Boca del Río, Veracruz-México - Investigador, Boca del Río, Veracruz-México - Investigador, Boca del Río, Veracruz-México - Investigador, Boca del Río, Veracruz-México |
| Páginas | 43-57 |
Quid N° 24, pp. 43-58, enero - junio 2015, ISSN: 1692-343X, Medellín-Colombia
Resumen. La electrónica moderna, conocida como microelectrónica, ha evolucionado de manera notable en las
últimas décadas gracias a diversos progresos cientícos y tecnológicos. Durante los primeros años de la década de
1960, se desarrollaron los transistores de efecto de campo Metal-Óxido-Semiconductor y con ellos la tecnología
Metal-Óxido-Semiconductor Complementaria, lo cual dio un impulso sin precedentes a la microelectrónica. Desde
aquellos años, el avance observado ha sido guiado por la continua reducción de las dimensiones de los transistores
utilizados en la fabricación de los circuitos integrados, llegando a tecnologías actuales cuyas dimensiones son del
orden de decenas de nanómetros. A medida que se reducen las dimensiones de los transistores, comienzan a aparecer
un conjunto de fenómenos que degradan su funcionamiento. Por ello, la tecnología ha buscado diferentes
alternativas a n de continuar con el progreso observado. En este contexto, los transistores de efecto de campo de
múltiples compuertas aparecen como una alternativa viable para guiar a la tecnología hacia los dispositivos de
menos de 10 nm (sub-10 nm).
Sin embargo, mantener este ritmo de desarrollo durante los próximos años, se vislumbra como un reto cientíco-
tecnológico muy fuerte, debido a la dicultad tecnológica que implica la fabricación de transistores en esas escalas,
así como nuevos fenómenos físicos que aparecen en ellos. En esta contribución, se realizará una revisión de los
principales aspectos que han ayudado al desarrollo de la microelectrónica moderna haciendo énfasis en la
tecnología metal-óxido-semiconductor complementaria, así como los principales retos para los próximos años.
Palabras clave: MOSFET, MOSFET avanzados, FinFET, CMOS, circuitos integrados
Abstract. Modern electronics, known as microelectronics, has evolved astonishingly in the last decades thanks to
scientic and technological advances. In the early 1960, Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors were
devel oped, fo llowed by Compleme ntary Me tal-Oxide -Semicon ductor te chnology, givin g the e ld of
microelectronics an amazing improvement. Since then, the semiconductor industry has been guided by the
continuous reduction of the transistor dimensions used in integrated circuits, allowing the development of the
current state of technology with lengths down to tens of nanometers. As the transistor dimensions are shrunk,
different phenomena appear that cause performance degradation of the devices. Hence, technological alternatives
have been proposed in order to continue with the progress observed in the last decades. In this context, Multiple Gate
Field Effect Transistors appears as a viable alternative to reach sub-10nm nodes.
TECNOLOGÍA CMOS: AVANCES Y PERSPECTIVAS
CMOS TECHNOLOGY: ADVANCES AND PERSPECTIVES
Citar, estilo APA: Martínez-López, A., Solís-Ávila, E., Martínez-Castillo y J. Tinoco, J. (2015). Tecnología CMOS: avances y perspectivas. Revista QUID,
(24), 43-58.
PhD. Andrea G. Martínez-López
Centro de Investigación en Micro y
Nanotecnología, Universidad Veracruzana,
Investigador, Boca del Río, Veracruz-México
andmartinez@uv
M.Sc. Edgar Solís-Ávila
Centro de Investigación en Micro y
Nanotecnología, Universidad Veracruzana, Boca
del Río, Veracruz-México
(Recibido el 19-01-2015 - Aprobado el 20-02-2015)
PhD. Jaime Martínez-Castillo
Centro de Investigación en Micro y
Nanotecnología, Universidad Veracruzana,
Investigador, Boca del Río, Veracruz-México
jaimartinez@uv
PhD. Julio C. Tinoco Magaña
Centro de Investigación en Micro y
Nanotecnología, Universidad Veracruzana,
Investigador, Boca del Río, Veracruz-México
jutinoco@uv
Para continuar leyendo
Solicita tu prueba